ی. دسامبر 4th, 2022

سامسونگ در معرفی نقشه راه آینده این شرکت در بخش تولید تراشه های حافظه اعلام کرد در آینده سرعت حافظه های DDR6 این شرکت تا سال ۲۰۲۷ حدود ۱۰ گیگابیت بر ثانیه خواهد بود.

به گزارش سرویس اخبار فناوری و تکنولوژی تکنا، غول فناوری کره ای قصد دارد سرعت حافظه های خود را طی سالهای آینده به ۱۰ گیگابیت بر ثانیه برساند. همچنین نقشه راه سامسونگ برای حافظه های DRAM افزایش ظرفیت به ۴ گیگابایت خواهد بود. طبق گفته سامسونگ سرعت انتقال روی این حافظه ها نیز در آینده به ۶.۴ تا ۸.۲ گیگابیت بر ثانیه می رسد.

سامسونگ قصد دارد از سال آینده نسل جدید حافظه های ویدئویی GDDR7 را عرضه کند. که احتمالا توسط گرافیک های AMD و انویدیا مورد استفاده قرار خواهد گرفت. چشم انداز این شرکت برای حافظه DDR6 نیز عرضه آن در سال ۲۰۲۶ و رسیدن به سرعت ۱۰ گیگابیت بر ثانیه در سال ۲۰۲۷ است. نسل پنجم DRAM با فرایند ده نانومتری تولید خواهند شد.

طبق گزارش گیزچاینا، نسل نهم تراشه های V-NAND از سال ۲۰۲۴ وارد مرحله تولید خواهند شد و به تولید انبوه نیز می رسند. همچنین این شرکت قصد دارد با هدف پشتیبانی بهتر از فناوری های مبتنی بر داده لایه های NAND را به ۱۰۰۰ برساند. تا پایان سال جاری نیز بالاترین ظرفیت یک ترابایتی TLC V-NAND در اختیار مشتریان قرار خواهد گرفت.

دسترسی به دیگر خبرها در اخبار فناوری آک تک.